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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
34
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3271
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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