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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
4039
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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