RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2222
4039
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link