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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Compara
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
39
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2201
3158
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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