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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
13.0
18.4
写入速度,GB/s
8.6
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
3158
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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