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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Compara
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2201
2890
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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