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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Compara
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2201
2890
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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