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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
5300
En 4.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
23400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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