RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2761
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link