RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1896
2443
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link