RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
50
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2248
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link