RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
50
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2248
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link