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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
39
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
39
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2159
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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