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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
39
读取速度,GB/s
18.4
14.3
写入速度,GB/s
12.3
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2159
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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