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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
39
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
39
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
2159
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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