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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
39
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
39
Velocità di lettura, GB/s
18.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2159
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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