RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
73
122
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
122
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
1411
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link