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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
122
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.4
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
122
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
5.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
1411
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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