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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
総合得点
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
73
122
周辺 40% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
9.4
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
5.8
4.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
122
読み出し速度、GB/s
6.1
9.4
書き込み速度、GB/秒
4.7
5.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1021
1411
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