RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2336
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link