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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
3726
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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