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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
56
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
56
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2071
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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