Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Puntuación global
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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,950.7 left arrow 1,881.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    58 left arrow 58
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,120.0 left arrow 4,241.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,881.5 left arrow 1,950.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    598 left arrow 651
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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