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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Compara
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
1,881.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
58
58
Velocidad de lectura, GB/s
4,120.0
4,241.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,881.5
1,950.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
598
651
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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