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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Note globale
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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB Raisons de considérer
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    1,950.7 left arrow 1,881.5
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    58 left arrow 58
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,120.0 left arrow 4,241.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,881.5 left arrow 1,950.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    598 left arrow 651

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