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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
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Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB Razões a considerar
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    1,950.7 left arrow 1,881.5
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 58
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,120.0 left arrow 4,241.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,881.5 left arrow 1,950.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    598 left arrow 651

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