RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
2808
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link