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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
15.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2388
2808
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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