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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2110
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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