RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
75
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
2,036.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2110
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link