RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
75
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2126
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link