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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
2584
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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