RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
2584
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link