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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
3649
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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