Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global
star star star star star
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Puntuación global
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 42
    En -35% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 12.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.5 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 10600
    En 2.42 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.8 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 15.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2123 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones