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Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Compara
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
67
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
3.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
6.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
3.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2160
1076
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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