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Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
67
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
6.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
3.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
67
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
6.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
3.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2160
1076
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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