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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
2443
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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