RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparar
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2030
2443
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link