Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13 12.2

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.6 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.0 12.2
Скорость записи, Гб/сек

9.5 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2030 2443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

модули RAM