RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Compara
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2009
2565
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link