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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
49
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
49
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
2504
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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