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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2261
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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