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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
79
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
79
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
1651
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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