RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparar
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
79
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
79
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1917
1651
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Relatar um erro
×
Bug description
Source link