RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
3343
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link