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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2852
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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