RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2852
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link