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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
4182
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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