RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2497
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link