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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2488
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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