RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2488
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link