RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2488
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link