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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
2466
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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