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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
48
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
48
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2466
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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